A Mitsubishi Electric Corporation anuncia o lançamento do módulo MOSFET (Metal-oxide semiconductor field-effect transistor), um transistor de silício de rádio frequência (RF) de alta potência de saída de 50W para uso em amplificadores de alta potência de rádios bidirecionais comerciais. O modelo, que será lançado em agosto, oferece uma potência de saída de 50W para as bandas de frequência líderes de mercado, de 763 MHz a 870 MHz, e alta eficiência total de 40%, o que contribuirá para ampliar o alcance da comunicação de rádio e reduzir o consumo de energia.

As bandas de frequência de 150 MHz – que deve ter sua operação para uso do sinal 5G autorizada pela Anatel - e de 400 MHz, inicialmente utilizadas para vários sistemas sem fio, já se encontram congestionadas na América do Norte e em outros mercados, o que pode acontecer em breve também no Brasil.

Por isso, prevendo o crescimento da demanda por sistemas de comunicação, a banda de 700 MHz, que anteriormente era usada para transmissão de TV analógica, foi realocada para uso no rádio comercial bidirecional, aumentando a procura por aparelhos que suportem esta frequência.

Mas o desafio é que amplificadores convencionais apresentam grande perda de potência. Com isso, há necessidade da inserção de módulos de RF de alta potência MOSFET que ofereçam circuito integrado de correspondência de impedância de entrada/saída e garantam o desempenho de potência de saída.

O novo transistor de silício RF de alta potência MOSFET (RA50H7687M1), que atinge uma potência inigualável e alta eficiência total para rádios comerciais compatíveis com a banda de frequência de 700MHz, oferece a capacidade de ampliar o alcance de comunicação em até 6% em relação aos modelos anteriores e reduzir o consumo de energia desses rádios.

Em janeiro de 2023, o novo módulo MOSFET compatível com a banda de 900MHz estará disponível no mercado.